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沈陽科晶1600℃雙溫區(qū)高溫真空管式爐每個加熱區(qū)域長300mm,由30段智能溫度調節(jié)儀進行控溫，采用硅鋁棒加熱元件 溫度可達1600P,采用硅碳棒加熱元件溫度可達1400tJ,通過調節(jié)兩個溫區(qū)的控溫程序使爐管內溫度場形成一溫度梯度。本機可用于 CVD或PYD方法來生長納米材料和制作各種蒲膜。

沈陽科晶1600℃真空高溫管式爐加熱元件采用1750P級硅鋁棒，廣泛用于真空或惰性氣體保護狀態(tài)下，新材料樣品的燒 結或退火。

沈陽科晶1600℃真空高溫管式爐加熱元件采用1700P級硅鋁棒，廣泛用于真空或惰性氣體保護狀態(tài)下，新材料樣品的燒結 或退火。

沈陽科晶1500℃三溫區(qū)開啟式管式爐是高溫管式爐，高溫度可達1500^3,三個溫區(qū)分別用三個獨立的溫控系統(tǒng)控 制，每個溫區(qū)都可以設置30段升降溫程序，并設有過熱和斷偶保護功能，控溫精度高達±1P。本機特別適合于在氣氛保護或真空環(huán)境下 對樣品進行退火和燒結。

沈陽科晶 1500℃單溫區(qū)開啟式管式爐高溫度可達1500=C,可設置30段升降溫程序，并設有過熱和斷偶保護功能，控溫 精度高達=11,特別適合于在氣氛保護或真空環(huán)境下對樣品進行退火和燒結。